信越化學(xué)正式開發(fā)氮化鎵（GaN）基板及相關(guān)產(chǎn)品
信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社此次與Qromis,Inc.（總公司：美國加利福尼亞州，CEO：Cem Basceri、以下簡稱Qromis公司）就本公司持有的GaN（氮化鎵）基板相關(guān)技術(shù)簽訂專利許可協(xié)議，并正式開發(fā)GaN基板及相關(guān)產(chǎn)品。
信越化學(xué)與生產(chǎn)半導(dǎo)體硅晶圓的子公司信越半導(dǎo)體（總公司：東京，社長：秋谷文男）面向功率半導(dǎo)體和高頻半導(dǎo)體，在通常的硅晶圓之外，共同開發(fā)及銷售Silicon on Insulator（SOI）晶圓及GaN on Silicon晶圓等的基板。在進(jìn)一步擴(kuò)大這些產(chǎn)品系列的同時(shí)，利用Qromis公司的技術(shù)，完善GaN基板及相關(guān)產(chǎn)品的系列產(chǎn)品，通過提供多種解決方案，滿足客戶的要求。
利用GaN的半導(dǎo)體，作為可解決電動(dòng)汽車等移動(dòng)性的進(jìn)化、5G及數(shù)字化等所要求的高器件性能和節(jié)能等相矛盾課題的器件，今后可期需求進(jìn)一步得到擴(kuò)大。
